- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/50 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 51/50
Brevets de cette classe: 7
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
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Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
5 |
| Xiangtan University | 52 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |